9-10 nov. 2023 LOUVAIN-LA-NEUVE (Belgique)

APPEL A COMMUNICATION

Template pour les résumés

Les résumés peuvent être soumis et présentés en langue française ou anglaise.

Abstracts may be submitted and presented in English or French language.

NETPORE

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INVITÉS

Julien Bachmann – The University of Erlangen
Systematic build of a macroporous model system to test the inherent activity of SCALMS catalysts

Stephane Bastide - Institut de Chimie et des Matériaux, Paris-Est, ICMPE – CNRS – UPEC
Photo/electrooxidation of urea in urine for wastewater treatment and hydrogen production.

Roselien Vercauteren - VOCSens
Porous silicon membranes and their application to indirect bacterial detection

Helder Almeida Santos - University of Helsinki
Porous silicon-based nanoparticles for boosting cancer antitumor immunity and mitochondria-targeting for reactive oxygen species generation

Gilles Scheen - INCIZE - HEPL - UCLouvain
Post-fab porosification : Challenges and advances

OBJECTIFS

Nous vous convions aux 6ièmes journées SemiConducteurs et Oxyde Poreux qui se tiendront à Louvain-La-Neuve (Belgique) les 9 et 10 novembre 2023.

L'objectif de ces journées est de réunir au niveau national les acteurs français et francophones impliqués dans la recherche sur le silicium et les semi-conducteurs/oxydes poreux et leurs applications.

Cette 6ième édition des journées SCOPe sera l’occasion pour notre communauté de partager nos dernières avancées dans le domaine et de promouvoir la jeune génération.

Les doctorants et post-doctorants seront prioritaires pour les présentations orales.

Thèmatiques abordées :

  • Elaboration, techniques de fabrication, structures
  • Luminescence et photonique
  • Microélectronique
  • Systèmes et intégration
  • Coatings fonctionnels
  • Capteurs
  • Photovoltaïque
  • Matériaux d’électrodes, énergie, conversion, stockage
  • Imagerie médicale, thérapie

FRAIS DE PARTICIPATION

Etudiants, Post-docs : 80€

Universitaires, Académiques : 120€

Industriels : 230€

*Les frais de participation couvrent les pauses café, les 2 déjeuners.

PRESENTATION

Un intérêt nouveau pour les semi-conducteurs poreux a émergé dans la communauté scientifique dans les années 90, notamment grâce à la découverte de la photoluminescence du Si poreux. Les procédés électrochimiques sont devenus des méthodes phares de nano-structuration de la plupart des semi-conducteurs (Si, GaAs, InP, etc…) et ont permis la génération de réseaux poreux auto-ordonnés (Al2O3, TiO2, etc…). Ils ont dès lors été largement étudiés car ils ont ouvert des perspectives pour la fabrication de nano-objets à propriétés nouvelles, en particulier électroniques et optiques. Par la suite, les domaines d’applications potentielles de ces structures anodiques poreuses, n’ont cessé de croître et d’évoluer.  En particulier, le Si poreux dotés de fonctionnalités variées a révélé un potentiel considérable pour des applications en opto- et microélectronique, systèmes, capteurs, matériaux pour l’énergie, ainsi que pour la nanomédecine.

Aujourd’hui, le silicium et les semi-conducteurs poreux sont au cœur des intérêts scientifiques de nombreuses équipes de recherche dans le monde entier, attirant l’attention de chimistes, de physiciens, de biologistes et de médecins.

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DATES IMPORTANTES

15 octobre 2023 :

date limite pour l’envoi des résumés

29 octobre 2023 :

clôture des inscriptions

09-10 novembre 2023 :

Journées SCOPe 2023
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